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Repositorio Institucional Continental


Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.12394/7742
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dc.contributor.authorRafael-Valdivia, G-
dc.date.accessioned2020-07-15T00:50:32Z-
dc.date.available2020-07-15T00:50:32Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationRafael-Valdivia, G. (2019). Improvements of the Design Process in the Microwave Transistors Industry. Revista facultad de ingeniería, universidad pedagógica y tecnológica de Colombia.28(52), 99-121. 10.19053/01211129.v28.n52.2019.9784es_ES
dc.identifier.uri10.19053/01211129.v28.n52.2019.9784-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12394/7742-
dc.description.abstractEste artículo presenta una técnica para mejorar el proceso de diseño industrial de transistores de microondas, basado en un diseño de experimentos mejorado (DOE) y un modelado electrotérmico (MET) expandido. El diseño de experimentos DOE permitió centrar el diseño a través de variaciones en parámetros específicos, para evitar complejas simulaciones electromagnéticas de acoplamiento mutuo entre los cables dentro del mismo transistor, que generalmente en herramientas CAD convencionales presentan un elevado costo computacional. El modelo electrotérmico mejorado utilizando la técnica de voltajes efectivos posibilitó predecir no solo el autocalentamiento, sino también las impedancias apropiadas para la máxima potencia de salida y la máxima eficiencia del transistor. De esta manera fue posible elegir las condiciones de operación que garantizaran un reducido autocalentamiento, así como las mejores condiciones de potencia, eficiencia y linealidad. Las técnicas presentadas son útiles para la implementación de amplificadores de potencia en los futuros sistemas de comunicación inalámbricos, ya que deben trabajar con potencias elevadas que producen autocalentamiento y con señales de gran ancho de banda. La combinación de ambas técnicas permite la reducción de diseño y tiempo de producción en el ámbito industrial. El diseño de experimento mejorado posibilitó centrar el diseño del transistor para asegurar la obtención de los mejores desempeños del transistor. La caracterización térmica facilitó que el transistor de microondas, implementado en un circuito impreso de potencia, funcionara por debajo de la temperatura máxima permitida, lo que garantiza su vida útil y, en consecuencia, la confiabilidad del sistema de transmisión completo.es_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.format.extentp. 99-121es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Continentales_ES
dc.relationhttps://revistas.uptc.edu.co/index.php/ingenieria/article/view/9784es_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.sourceUniversidad Continentales_ES
dc.sourceRepositorio Institucional - Continentales_ES
dc.subjectMedios de comunicaciónes_ES
dc.subjectMedios de comunicación Radioemisorases_ES
dc.titleImprovements of the Design Process in the Microwave Transistors Industryes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.rights.accessRightsAcceso abiertoes_ES
Appears in Collections:Artículos Científicos

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