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https://hdl.handle.net/20.500.12394/2539| Título: | Sílabo de Semiconductores y Dispositivos Electrónicos |
| Autor(es): | Universidad Continental |
| Otros colaboradores: | Gutarra Meza, Felípe, Decano Facultad de Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica Circuitos eléctricos Diodos Sílabos |
| Editorial: | Universidad Continental |
| Asignatura: | Semiconductores y Dispositivos Electrónicos (A0561) Estudios específicos |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| Fecha disponible: | 5-ago-2016 |
| Descripción: | Bandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la juntura PN y el diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores BJT. Tipos, configuraciones, recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi. Los transistores fet, los transistores mosfet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga. El amplificador diferencia. |
| Notas: | Plan curricular 2007 |
| Número de versión: | 2017 |
| Facultad/Área: | Facultad de Ingeniería |
| Extensión: | 5 páginas |
| Acceso: | Restringido |
| Fuente: | Universidad Continental Repositorio Institucional - Continental |
| Audiencia: | Estudiantes Docentes |
| Aparece en las colecciones: | Sílabos |
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