Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/20.500.12394/2539| Titolo: | Sílabo de Semiconductores y Dispositivos Electrónicos |
| Autori: | Universidad Continental |
| metadata.dc.contributor.other: | Gutarra Meza, Felípe, Decano Facultad de Ingeniería |
| Parole chiave: | Ingeniería electrónica Circuitos eléctricos Diodos Sílabos |
| Editore: | Universidad Continental |
| metadata.dc.subject.classification: | Semiconductores y Dispositivos Electrónicos (A0561) Estudios específicos |
| Data: | 2016 |
| metadata.dc.date.available: | 5-ago-2016 |
| Descrizione: | Bandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la juntura PN y el diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores BJT. Tipos, configuraciones, recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi. Los transistores fet, los transistores mosfet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga. El amplificador diferencia. |
| metadata.dc.description.note: | Plan curricular 2007 |
| metadata.dc.relation.publishversion: | 2017 |
| metadata.dc.publisher.department: | Facultad de Ingeniería |
| Estensione: | 5 páginas |
| metadata.dc.rights.accessRights: | Restringido |
| metadata.dc.source: | Universidad Continental Repositorio Institucional - Continental |
| metadata.dc.audience: | Estudiantes Docentes |
| È visualizzato nelle collezioni: | Sílabos |
File in questo documento:
Non ci sono file allegati a questo documento
Questo documento è distribuito in accordo con Licenza Creative Commons
