1. Repositorio Continental
  2. Docencia
  3. Facultad de Ingeniería
  4. Estudios Específicos
  5. Sílabos
Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.12394/2539
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dc.contributor.authorUniversidad Continental-
dc.contributor.otherGutarra Meza, Felípe, Decano Facultad de Ingenieríaes_ES
dc.date.accessioned2016-08-05T21:54:51Z-
dc.date.available2016-08-05T21:54:51Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12394/2539-
dc.descriptionBandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la juntura PN y el diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores BJT. Tipos, configuraciones, recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi. Los transistores fet, los transistores mosfet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga. El amplificador diferencia.-
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.format.extent5 páginases_ES
dc.format.mimetypePDFes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Continentales_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/-
dc.sourceUniversidad Continentales_ES
dc.sourceRepositorio Institucional - Continentales_ES
dc.subjectIngeniería electrónicaes_ES
dc.subjectCircuitos eléctricoses_ES
dc.subjectDiodoses_ES
dc.subjectSílaboses_ES
dc.subject.classificationSemiconductores y Dispositivos Electrónicos (A0561)es_ES
dc.subject.classificationEstudios específicoses_ES
dc.titleSílabo de Semiconductores y Dispositivos Electrónicoses_ES
dc.rights.licenseCreative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perú-
dc.rights.holderUniversidad Continentales_ES
dc.description.notePlan curricular 2007es_ES
dc.publisher.departmentFacultad de Ingenieríaes_ES
dc.relation.publishversion2017es_ES
dc.audienceEstudianteses_ES
dc.audienceDocenteses_ES
dc.rights.accessRightsRestringidoes_ES
dc.publisher.countryPerú-
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